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AON7423
20V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON7423 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V DS
I D (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-2.5V)
R DS(ON) (at V GS =-1.8V)
R DS(ON) (at V GS =-1.5V)
-20V
-50A
< 5m ?
< 6.5m ?
< 8.5m ?
< 11m ?
100% UIS Tested
100% R g Tested
DFN 3.3x3.3 EP
Top View
Bottom View
1
2
3
Top View
8
7
6
D
Pin 1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
4
5
G
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±8
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current
Continuous Drain
Current
C
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
-50
-39
-200
-28
-22.5
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
60
180
A
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
83
33
6.2
4
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
16
45
1.1
20
55
1.5
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 0: Nov. 2011
www.aosmd.com
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